Учебное пособие. Санкт-Петербург.: Изд-во Наука, 2000, 100 с.Содержание.Введение.Основные обозначения.Глава 1 Энергетические диаграммы полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом и полупроводниковых структур.1.1. Классификация полупроводников и структур на их основе.1.2. Неоднородные полупроводники и гомоструктуры.1.3. Варизонные полупроводники.1.4. Варизонныи? полупроводник—гетероструктура.1.5. Модели гетероперехода.1.6. Построение энергетической диаграммы гетероструктуры....
Учебное пособие. Санкт-Петербург.: Изд-во Наука, 2000, 100 с.Содержание.Введение.Основные обозначения.Глава 1 Энергетические диаграммы полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом и полупроводниковых структур.1.1. Классификация полупроводников и структур на их основе.1.2. Неоднородные полупроводники и гомоструктуры.1.3. Варизонные полупроводники.1.4. Варизонныи? полупроводник—гетероструктура.1.5. Модели гетероперехода.1.6. Построение энергетической диаграммы гетероструктуры.1.7. Расчет потенциала в резком переходе в приближении Шоттки.1.7.1. Анизотипныи? гетеропереход.1.7.2. Изотипныи? гетеропереход.1.8. Диполь на границе раздела материалов.1.9. Энергетическая диаграмма контакта металл—полупроводник.Глава 2 Токи в структурах с р — n-гетеропереходом.2.1. Составляющие тока в структуре с р—n-переходом.2.2. Инжекция и суперинжекция носителеи? в р—n-гетероструктуре.2.3. Ток надбарьернои? эмиссии идеального р — n-гетероперехода.2.4. Емкость и вольт-фарадная характеристика идеального р —n-гетероперехода.2.5. Особенности токопротекания в структурах с неидеальным гетеропереходом.2.5.1. Инжекционныи? ток и емкость неидеального перехода.2.5.2. Туннелирование через «пичок».2.5.3. Токи через состояния на границе раздела материалов.Глава 3 Выпрямление тока на контакте металл—полупроводник.3.1. Эмиссия электронов из полупроводника в металл.3.2. Диодная теория выпрямления, емкость запорного контакта.3.3. Диффузионная теория выпрямления.3.4. Вольт-амперная характеристика реального контакта МП.Глава 4 Использование варизонных слоев и гетероструктур в приборах.4.1. Приборные структуры с варизонными слоями.4.2. Гетероструктуры в полупроводниковои? электронике.4.3. Светоизлучающие приборы на основе гетероструктур.4.4. Приемники излучения на основе гетероструктур.Приложение 1. Параметры некоторых полупроводниковых материалов при комнатнои? температуре (300 К).Приложение 2. Электроотрицательность химических элементов (эВ), входящих в состав полупроводниковых материалов.Приложение 3. Работа выхода из металлов.Литература. Книга «Варизонные полупроводники и гетероструктуры» авторов Ильин В.И., Мусихин С.Ф., Шик А.Я. оценена посетителями КнигоГид, и её читательский рейтинг составил 0.00 из 10.
Для бесплатного просмотра предоставляются: аннотация, публикация, отзывы, а также файлы для скачивания.
Рецензии на книгу
Написано 0 рецензий