Осипьян Ю.А.

Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках...

Статья. Опубликована в журнале "Успехи физических наук". — 1959. — Апрель. — С. 625-662.Содержание статьи:Способы получения нитевидных кристаллов.О механизме роста нитевидных кристаллов.Механические свойства нитевидных кристаллов.Методы испытания.Экспериментальные данные, полученные при деформировании нитевидных кристаллов, и их сопоставление с данными для обычных кристаллов.Разрушение и пластичес...