Читать онлайн «Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений: учебно-методическое пособие»
Автор М. Г. Колосницына
МОЩНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ КАРБИДА
КРЕМНИЯ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 53
5. 1. Успехи освоения карбидкремниевой технологии ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 53
5. 2. Вольтамперные характеристики и основные параметры диодов ... . 54
5. 3. Основные электрические параметры и динамические характеристи-
ки биполярных транзисторов (БПТ)... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 65
5. 4. Тиристоры. Процессы переключения ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 71
5. 5. Интегрированные диоды на основе карбида кремния со структурой
«барьер Шоттки – электронно-дырочный переход» ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...
... ... ... ... 80
3
5. 6. Сравнительный анализ электрических параметров SBD и JBS-ди-
одов ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 90
ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 93
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 94
Р
УИ
БГ
а
т ек
ио
бл
Би
4
ВВЕДЕНИЕ
Традиционные кремниевые приборы в настоящее время почти достигли
своих теоритических теплового, квантового и мощного пределов. Для даль-
нейшего развития вычислительной и измерительной техники и т. д. на повестку
дня выдвигается задача освоения новых частотных диапазонов. В микроэлектронике давно идет поиск новых элементарных полупровод-
ников и полупроводниковых соединений, способных далеко продвинуть ча-
стотный и мощностный пределы в работе схем. Учебно-методическое пособие включает в себя пять глав. Первая глава
знакомит со специфическими свойствами арсенида галлия как исходного полу-
Р
проводникового материала для анализируемых полупроводниковых приборов. Возможности создания на его основе сверхбыстродействующих электронных
УИ
приборов обусловлены некоторыми уникальными его электрофизическими ха-
рактеристиками: высокой подвижностью электронов, широкой запрещенной
зоной и т. д. В первой главе приводится анализ физических принципов работы арсе-
БГ
нидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ), электрических
характеристик и предельныъ возможностей этих приборов, обсуждаются со-
временные и перспективные конструкции ПТШ. К преимуществам гетероструктурных биполярных транзисторов, которым
а
посвящается вторая глава, относятся:
ек
– высокая эффективность эмиттера, так как потоку дырок (ток базы) пре-
пятствует высокий потенциальный барьер в валентной зоне;
– малые шумы и уменьшение эффекта оттеснения тока эмиттера на край
т
эмиттера из-за низкого сопротивления базы.
