В. МОРОЗОВ
Е
ПРИБОРЫ ДЛЯ ПРОВЕРКИ
ТРАНЗИСТОРОВ
ИЗДАТЕЛЬСТВО ДОСААФ
Москва— 1965
ПРЕДИСЛОВИЕ
За последние годы широкое распространение в
радиотехнике получили полупроводниковые приборы. Такие свойства полупроводниковых приборов, как
малые габариты и вес, малое потребление энергии,
высокая механическая прочность, делают их применение
весьма желательным, а в ряде случаев необходимым. Массовый выпуск диодов -и транзисторов привел
к тому, что они применяются не только в специальной
аппаратуре, но стали все шире внедряться в
радиолюбительские конструкции и бытовые приборы. . Так,
например, для выпрямления и детектирования, даже в
аппаратуре, выполненной на лампах,- часто используют
полупроводниковые диоды. В радиоприемниках и
устройствах автоматики для генерирования, усиления и
преобразования электрических сигналов находят
применение полупроводниковые триоды (транзисторы). Часто у радиолюбителей, особенно у тех, кто
экспериментирует со схемами на полупроводниках, возникает
необходимость в проверке годности диодов и
транзисторов или измерении некоторых их параметров. Настоящая книга посвящена этим вопросам и
предназначается для радиолюбителей-конструкторов. Конечно, она не исчерпывает всех, даже простых, способов
проверки приборов и схем, используемых
радиолюбителями.
3
В научной литературе измерению параметров
полупроводниковых приборов посвящен обширный материал. Тому, кто более глубоко заинтересуется указанными
вопросами, рекомендуем ознакомиться* с литературой,
список которой приведен в конце книги. Автор заранее благодарит всех читателей, которые
пожелают сообщить свои отзывы и замечания^
Глава I
УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ДИОДОВ
И ТРАНЗИСТОРОВ
Прежде чем перейти к рассмотрению параметров
и способов проверки диодов и транзисторов,
целесообразно кратко остановиться на физических основах их
работы. Этот вопрос многократно освещался в научной и
научно-популярной литературе Но далеко не все
радиолюбители имеют о нем достаточно четкое представление,
хотя для конструирования и правильного применение
приборов для проверки полупроводников оно
совершенно необходимо. Материал данной главы, конечно, не может
заменить литературы, где суть вопроса рассмотрена более
детально, и рассчитан на радиолюбителей, уже
знакомых с принципом действия и физикой работы р-п
перехода. Как известно, физическая основа действия диодов
и транзисторов тесно связана с так называемым р-п
переходом, образующимся на границе раздела двуч
слоев полупроводника с различными типами
проводимости — электронной и дырочной. Основные свойства и методы получения р-п
переходов достаточно подробно были описаны в различной
литературе, в том числе и радиолюбительской, поэтому
здесь на них останавливаться не будем, считая их
известными. Напомним лишь, что исходный материал — германий
или кремний, предназначенный для изготовления
полупроводниковых приборов, представляет собой весьмт
однородное вещество высокой чистоты и при обычных
температурах практически является изолятором.