Московский физико-технический институт
Учебное пособие
«Физико-химические основы микро-
и наноэлектроники»
А. П. Алехин
Москва — 2011
УДК 66. 08
ISBN 978-5-8493-0202-7
Данное учебное пособие посвящено физическим, химическим и
технологическим основам микро- и наноэлектроники. Подробно рас-
смотрены современные технологические процессы, используемые при
создании электронных устройств: литография, травление, ионная им-
плантация, нанесение пленок диэлектриков, металлизация. Для каж-
дого из процессов приводится физическое обоснование, описывается
технологическое оборудование, рассказывается о принципиальных
возможностях и ограничениях метода. Для понимания некоторых процессов микроэлектронной техноло-
гии требуется знание физико-химических теорий – теории зародыше-
образования, остовной теории. Их изучению посвящены отдельные
главы пособия. Для студентов старших курсов и аспирантов. Данное пособие издано на средства государственного контракта
№16. 647. 12. 2016 от 25 ноября 2010 г. в рамках работ по направлению
2 Федеральной целевой программы «Развитие инфраструктуры нано-
индустрии в Российской Федерации на 2008-2011 годы». © Можайский полиграфический комбинат
оформление, 2011
ОГЛАВЛЕНИЕ
1. ВВЕДЕНИЕ. ТЕРМИНОЛОГИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ 7
1. 1. История развития и основные задачи субмикронной
технологии микроэлектроники 7
1. 2. Поликристаллический кремний 12
1. 3. Получение монокристаллического кремния 13
1. 4. Дефекты и оценка качества монокристаллических
подложек 16
1. 5. Обработка кремниевых пластин 17
2. ФИЗИКО-ХИМИЯ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ 19
2. 1. Кристаллографические и термодинамические условия
эпитаксиального роста плёнок 19
2.
2. Модель трёхмерного куполообразного зародыша 21
2. 3. Модель двухмерного зародыша 24
3. МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК 26
3. 1. Кристаллографические и термодинамические условия
эпитаксиального роста плёнок 26
3. 2. Измерение параметров эпитаксиальных слоёв 29
4. СТРОЕНИЕ ТВЕРДЫХ ВЕЩЕСТВ ПО ОСТОВНОЙ
ТЕОРИИ. ОСНОВНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ АДСОРБЦИИ 31
4. 1. Принцип «снизу-вверх» 31
4. 2. Остовная теория 32
4. 3. Теоретические и экспериментальные основы метода АСО 33
4. 4. Структурная единица твёрдого вещества. Синтез ZnS
методом АСО 40
5. ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ПОВЕРХНОСТЕЙ ТВЕРДОЕ
ТЕЛО – ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ СЛОЙ 44
5. 1. Правила построения границ раздела
полупроводник–диэлектрик 44
5. 2. Кристаллографические и термодинамические условия
эпитаксиального роста плёнок 49
5. 3. Процесс массопереноса при эпитаксии
из газовой фазы 52
5. 4.