Читать онлайн «Электронные свойства дислокаций в полупроводниках»

ЗЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА |2J дислокаций В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Под редакцией академика Ю. А. Осипьяна Об авторе Предлагаемая вниманию читателей книга состоит из обзорных статей, написанных ученым с мировым именем и признанием, действительным членом Российской академии наук Юрием Андреевичем Осипьяном в соавторстве со своими учениками. Свою научную деятельность Ю. А. Осипьян начал в 1955 году после окончания Московского института стали и сплавов. Уже в этот ранний период его творчества ярко проявился его незаурядный талант. Он теоретически исследовал влияние квантовых эффектов на кинетику бездиффузионных фазовых переходов в кристаллах. Им также были выполнены экспериментальные исследования механических свойств нитевидных кристаллов и продемонстрировано, что их реальная прочность близка к теоретическому пределу. В начале 60-х годов Ю. А. Осипьян начал проводить пионерские экспериментальные исследования, связанные с изучением взаимодействия электронов с протяженными дефектами в кристаллах. В этот период им было открыто очень неожиданное и интересное явление, известное в настоящее время в научной литературе как фотопластический эффект. Последующие работы Ю. А. Осипьяна и его учеников в этом направлении вызвали не меньший научный интерес. Здесь стоит упомянуть обнаружение таких интересных новых эффектов, как электропластический эффект и наличие заряда на дислокациях в полупроводниках Л2В6, существование кластеров «оборванных» валентных связей в ядрах дислокаций в кремнии, электронный спиновый резонанс и спинозависимая рекомбинация на дислокациях. Изящные эксперименты по высокочастотной проводимости привели к обнаружению коазиодномерных электронных зон, связанных с дислокациями и электродипольного спинового резонанса в этих зонах. Все эти работы послужили становлению новой, успешно развивающейся области физики — физики дислокаций в полупроводниковых кристаллах. Заслуги Ю. А. Осипьяна и созданной им научной школы в развитии этого направления физики твердого тела получили международное признание, а российская наука в области дислокационной физики твердого тела заняла ведущее положение в мировой науке. За эти работы в 1984 году Ю. А. Осипьян был награжден Академией наук СССР одной из высших наград по физике — золотой медалью им. П. Н. Лебеде- па. Позже он был награжден международной премией и золотой медалью им. А. П. Карпинского. Заслуги Ю. А. Осипьяна нашли отражение и в высших правительственных наградах. В 1986 году он получил почетное звание Героя Социалистического труда, а в 1999 году был награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» II степени. Научный вклад академика Осипьяна в физику твердого тела не ограничивается лишь дислокационной физикой. С открытием высокотемпературной сверхпроводимости Ю. А. Осипьян активно включился в исследования по этой проблеме и быстро завоевал авторитет и международное признание в этой актуальной области. В настоящее время он активно занимается исследованием новых форм углерода — фуллеренов. Особо следует отметить масштабную научно-организационную деятельность Ю. А.