Читать онлайн «Радиационные эффекты в КМОП ИС»

,. / j ") '/' . .  . ' " . A. IO. rfect,. .  i3. A. , A. и.  адиационные э 11 екты 6 · и. ь 4 " -,  ВБК 32. 852 Н62 УДК 621. 3. 049. 77 К омитетом Российской ФедераЦИIf Издание выпущено. В счет дотации, выданной по печати. ,. Н62 Никифоров А. Ю. и др. С / А Ю Никифоров,. Радиационные эффекты в КМОП И . , 1994  В А Т А И Ч у маков.  М. : Радио и с-вязь . . . елец, . . 164 с. с. ил. ISBN 5256012347. u ыявлению и изучению oco Приведены результаты иссдедоваюкмооп в интеrральных схем (ИС)  бенностей радиационноrо поведения базовых ст уктурах ИС основных Дан анализ радиuационных эффекто!3 Вэпитаксиальнй, с диэлектричсКОЙ КМОПтехнолоrии (монокремниевои, в здействии стационарных и им. изоляцией, кренийнасапфире) :с и PaCMOTpeHЫ различные механизмы пульсных ионизирующих излучен и' модели базовых элементов. Пред. отказов и описаны электрическ кспе иментальноrо моделирования прИ' ложены имитационные метод;ы э u P методы расчетноэксперименталь. воздействии ИОНИЗИРУЮЩИХ бе ИЗJIучеНИИ' р адиацонной стойкости различных Horo проrнозирования и о спечен ия классов КМОП Ис. б сти применения, проектирования и производ. Для специалисТОВ в о JIa а аспирантам и студентам старших ства ИС. Может быть рекомендован u курсов соответствующих специальностеи. 2302030700 063 Без объявл. Н 046(01)94 ББК 32. 852 Производственное издание Никифоров Александр Н)рьевич Телец Виталий Арсеньевич Чумаков Александр Иннокентьевич РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В КМОП ие Редакторы Ю. Н. Рысев. M. :: ЛСИАа rоршкова Хуцожественный и техннческий реда т р . . . Корректор т. В. Дземидович ИБ N2 2644 ЛР N!! 010164 от 04. 01. 92 Подписано в печать 12. 01. 95 С д ано в набор 1710 94 , 2 r и у\ )а литературная Печать высокая . Формат 60Х841/1Е "Бумаrа ТlfпоrраФс .  :зд. л. 10. 85 Тираж 1000 экз. У Л печ Л 953 Усл. Kp. OTT. . с. . ". . 76 С 063 Изд. N 23882 Зак. . .   / 6 93 101000 Москва, Почтамт, а я 'Издательство «Радио и связь». , 101000 Москва. Почтамт. Н). . Телец В. А. , Чумаков А. и. , 1994 :1:"/. ". ПРЕДИСЛОВИЕ UUирокое применение изделий микроэлектроники в HapOДHOXO зяйственных и оборонных объектах сделало актуальной задачу расширения элементной базы интеrральных схем (ИС) за счет создания больших и сверхбольших ИС (БИС и СБИС), которые' бы обладали не только высокой степенью интеrрации и функцио':' нальной сложности, но и устойчивостью к воздействию высокоин... тенси;вных и поСтоянно действующих низкоинтенсивных радиа , ционных полей. На момент издания этой книrи перечень отече ственных радиационно стойких изделий микроэлектроники, при,': меняемых в rражданских и военных объектах, содержит более 1000 типономиналов ИС различной степени интеrрации, в числе которых БИС 16разрядных микропроцессоров, оперативных ЗЗ' поминающих устройств (ОЗУ) емкостью дО 16К, постоянных и перепроrраммируемых ЗУ (ПЗУ и ППЗУ) емкостью дО 256К, базовых матричных кристаллов (БМК) с Числом вентелей до 5000, 610разрядных аналоrоцифровых и цифроаналоrовых преоб разователей, а также множество типов лоrических и аналоrовых ИС [1].