В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич
Безызлучательная
рекомбинация
в полупроводниках
С. -Петербург
1997
В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич
Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках
С. -Петербург: Издательство «Петербургский институт ядерной физики
им. Б. П. Константинова РАН», 1997.
376 стр. , ил. ISBN 5-86763-111-7
В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безыз-
лучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в
полупроводниках. В частности рассмотрены: феноменологическая теория
рекомбинации; теоретические модели мелких и глубоких центров; каскадная модель захвата
на притягивающие центры; захват, ограниченный диффузией; многофононные
процессы; оже-процессы; влияние постоянных и переменных электрических полей на
процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбина-
ционные процессы в полупроводниковых квантовых структурах. Результаты теории
сопоставляются с экспериментальными данными. Для научных работников, преподавателей университетов, аспирантов и студентов. Табл. 12. Ил. 88. Библиогр. 466 назв. Ответственный редактор: д. ф. -м. н. , профессор И. Н. Яссиевич
Издание осуществлено отделом научно-технической информации
Физико-технического института им. А.
Ф. Иоффе РАН при финансовой поддержке Российского фонда
фундаментальных исследований (проект № 96-02-30061). Оригинал-макет
подготовлен в программе Ш^Ое. Г. Григорьянц
Дизайн н верстка: Н. Г. Всесветский
Технический редактор: Е. А. Соловьева
(с) В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич, 1997
© ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 1997
ISBN 5-86763-111-7
Предисловие
m. i книга была впервые опубликована на английском языке в 1991 г. как
■ им 33 в серии «Modern Problems in Condenced Matter Sciences», изда-
ii. M мой под редакцией В. М. Аграновича и А. А. Марадудина издательством
Noiih-Holland. Предполагалось опубликование книг этой серии также на
1>у< t ком языке. Мы получили такую возможность только в 1997 г. благо-
<|>||»| фанту РФФИ № 96-02-30061. И новое издание мы внесли ряд добавлений, в частности в главу 10
похищены параграфы, посвященные туннельной ионизации глубоких цен-
i рои it переменных электрических полях. Это добавление вызвано
появившимися в последние годы экспериментальными работами по ионизации
I иу'юких центров дальним инфракрасным излучением Добавлена также
i ii. uta 13, содержащая краткий обзор работ по захвату носителей заряда в
о пни говые ямы и процессам безызлучательной рекомбинации носителей,
к типизованных в квантовых ямах.
11 книге используется так называемая гарвардская система организации
•' тюк на использованную литературу. При этом список литературы есте-
> р мсшю пришлось разбить на две части в зависимости от языка источника. Монография была нами написана совместно с Виктором Николаеви-
■II м Абакумовым, вклад которого трудно переоценить, и с которым нас
i ми н. шали долгие годы дружбы и совместной работы. Настоящее издание
пополнительная возможность отдать наш долг светлой памяти о нем
Мм искренне благодарны М.