Читать онлайн «Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах»

C92. СПРАВОЧНИК СХЕМОТЕХНИКА УСТРОЙСТВ НА МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Под редакцией В. П. ДЬЯКОНОВА ***3! ' t* МОСКВА „РАДИО И СВЯЗЬ. . 1994 ББК 32. 852. 3 С92 УДК 621. 382. ^03) Федеральная целевая программа книгоиздания России Авторы: В. В. БАЧУРИН, В. Я- ВАКСЕНБУРГ, В. П. ДЬЯКОНОВ, А. А. МАКСИМЧУК, А. М. РЕМНЕВ, В. Ю. СМЕРДОВ Редакция литературы по электронной технике Схемотехника устройств на мощных полевых транзисто- С92 pax: Справочник / В. В. Бачурин, В. Я. Ваксенбург, В. П. Дьяконов и др. ; Под ред. В. П. Дьяконова. — М. : Радио и связь, 1994. — 280 с: ил. ISBN 5-256-00963-Х. Основное внимание уделено принципам построения и расчета разнообразных устройств на мощных полевых транзисторах: однотактных и двухтактных ключей, регенеративных схем, импульсных усилителей, регуляторов и преобразователей, бестрансформаторных источников электропитания, генераторов импульсов с малыми временами нарастания и спада, усилителей НЧ, ВЧ, СВЧ н др. Приведены данные о кон* струкции н параметрах мощных полевых транзисторов и их электрических моделях. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием электронной аппаратуры. г* 2302030300—003 С 046(01)-94 КБ-52-134-92 ББК 32. 852. 3 ISBN 5-256-00963-Х © Бачурин В. В. , Ваксенбург В. Я. , Дьяконов В. П. и др. , 1994 Предисловие Многие годы полевые транзисторы (ПТ) были маломощными приборами, однако разработчиков электронных устройств привлекал ряд их параметров, сходных с параметрами электровакуумных приборов, например высокое входное сопротивление. По своим энергетическим показателям эти приборы намного уступали биполярным транзисторам. Поэтому ПТ почти не применялись в мощных электронных устройствах, таких как радиопередатчики, импульсные устройства, силовые ключи, преобразователи электроэнергии и др. Не спасали положения и попытки включения десятков дискретных маломощных приборов с целью увеличения их рабочих токов [81]. В начале 70-х годов ситуация изменилась коренным образом. Во-первых, успехи микроэлектроники позволили создать на одном кристалле множество (сотни и тысячи) структур маломощных ПТ, что позволило увеличить рабочие токи на 3... 4 порядка, доведя их до десятков (а затем и сотен) ампер. Во-вторых, были найдены пути повышения рабочих напряжений— вначале до десятков вольт, а затем до 1... 1,5 кВ. Приоритет в создании мощных ВЧ и СВЧ МДП-транзнсторов принадлежит нашей стране. Еще в 1973 г. первые отечественные мощные МДП-транзисторы КП901 и КП902 получили золотую медаль иа Международной выставке-ярмарке в Лейпциге. Вскоре появились приборы КП904, отдающие мощность десятки ватт на частотах до 60 МГц [18]. В это же время были выявлены, исследованы и реально использованы уникальные импульсные свойства мощных ВЧ и СВЧ МДП-транзисторов, н онн стали новым перспективным классом импульсных активных приборов с наио- н субнаносекундными временами переключения [11—15]. Впервые у нас были предложены и составные ненасыщающиеся транзисторы, в которых мощность ПТ используется для управления более мощным биполярным прибором [64, 65].