Читать онлайн «Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Часть 1»

М. А. Королёв, Т. Ю. Крупкина, М. А. Ревелева Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем Часть 1 М. А. Королёв, Т. Ю. Крупкина, М. А. Ревелева Те хн хноо лог логия, ия, кон онстр струкции укции и метод метод ы м од ели лирр о в ани анияя кремни кр емниевых евых интегр инт егральны альныхх микро микр о сх е м П од о бщей бще й ре р едакц дакцией ией члена$к чле на$корр орр. . РРАН АН пр проо ф е с с о р а Ю. А . Чаплыгина Чапл ыгина Часть 1 Техн хноо логиче логические ские пр проц оцес ессы сы изготовл изг отовления ения к р емниевы емниевыхх интегр интегральн альных ых сх сх ем и их мод мод ели лирр о в ан ание ие 3$е издание (электронное) Рекомендов ано Учебно$методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 210104 (200100) «Микроэлектроника и твердотельная электроника» Москва БИНОМ. Лаборатория знаний 2015 УДК 621. 382. 049. 77. 002(07) ББК 32. 852 K68 Технология, конструкции и методы моделирования кремние- K68 вых интегральных микросхем [Электронный ресурс] : в 2 ч. Ч. 1 : Технологические процессы изготовления кремниевых интеграль- ных схем и их моделирование / М. А. Королёв [и др. ] ; под общей ред. чл. -корр. РАН проф. Ю. А. Чаплыгина. — 3-е изд. (эл. ). — Электрон. текстовые дан. (1 файл pdf : 400 с. ). — М. : БИНОМ. Ла- боратория знаний, 2015. — Систем. требования: Adobe Reader XI ; экран 10". ISBN 978-5-9963-2904-5 (Ч. 1) ISBN 978-5-9963-2491-0 Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструк- циях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микро- электроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.