МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ
Гатчин Ю. А. , Ткалич В. Л. , Камаев П. А. , Симаков Д. Д. ,
Хмелёв Е. Д. Материалы электронных
средств
Учебное пособие
Санкт-Петербург
2010
УДК 621. 3:[621. 315. 5+621. 315. 6]+538. 9
Гатчин Ю. А. , Ткалич В. Л. , Камаев П. А. , Симаков Д. Д. , Хмелёв Е. Д. «Материалы электронных средств». Учебное пособие. СПб:
СПбГУ ИТМО, 2010. 112 с. В учебном пособии рассмотрены элементы кристаллофизики, а также
основные виды проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических
материалов электронных средств. Предназначено для студентов и магистров факультетов КТиУ и ТМиТ,
изучающих дисциплины «Физические основы микроэлектроники», «Ма-
териаловедение и материалы электронных средств»: направления
210202 — «Проектирование и технология электронно-вычислительных
средств» для специалистов и 210200. 05 — «Информационные технологии
проектирования электронных средств» для магистров техники и техно-
логии, а также 200100 и 200101 — «Приборостроение» для бакалавров и
дипломированных специалистов. Рекомендовано Учебно-методическим объединением вузов Россий-
ской Федерации по образованию в области приборостроения и оптотех-
ники для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направ-
лению подготовки 200100 — Приборостроение и специальности 200101 —
Приборостроение (решение УМО по образованию в области приборо-
строения и оптотехники от 29. 04. 10, протокол № 3). Печатается по решению Совета факультета КТиУ СПбГУ ИТМО
от 13. 04. 10 (протокол № 9) и решению Совета факультета ТМиТ СПбГУ
ИТМО от 13. 04. 10 (протокол № 7). В 2009 году Университет стал победителем многоэтапного конкурса, в
результате которого определены 12 ведущих университетов России, ко-
торым присвоена категория «Национальный исследовательский универ-
ситет». Министерством образования и науки Российской Федерации бы-
ла утверждена Программа развития государственного образовательно-
го учреждения высшего профессионального образования «Санкт-Петер-
бургский государственный университет информационных технологий,
механики и оптики» на 2009–2018 годы.
○
c Санкт-Петербургский государственный
университет информационных технологий,
механики и оптики, 2010
○
c Гатчин Ю. А. , Ткалич В. Л. , Камаев П. А. ,
Симаков Д. Д. , Хмелёв Е. Д. , 2010
Оглавление
Введение 5
1 Элементы кристаллофизики 7
1. 1 Химическая связь в кристаллах . . . . . . . . . . . . . . 7
1. 2 Геометрия кристаллической решетки . . . . . . . . . . . 11
1. 3 Дефекты структуры кристаллов . . . . . . . . . . . . . . 17
1. 4 Аморфные твердые тела . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2 Проводниковые материалы 28
2. 1 Общие сведения о проводниках . . . . . . . . . . . . . . 28
2. 2 Медь . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2. 3 Алюминий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2. 4 Никель . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2. 5 Хром . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2. 6 Золото . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2. 7 Серебро . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2. 8 Платина . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2. 9 Палладий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2. 10 Сравнение проводников . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3 Полупроводниковые материалы 37
3. 1 Основные понятия . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3. 2 Простые полупроводники . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3. 2. 1 Кремний . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3. 2. 2 Германий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3. 3 Двойные полупроводниковые фазы . . . . . . . .
. . . . 46
3. 3. 1 Соединения типа AIII BV . . . . . . . . . . . . . . . 46
3. 3. 2 Полупроводниковые сверхрешетки . . . . . . . . 48
3. 3. 3 Соединения типа AII BVI . . . . . . . . . . . . . . . 50
3
ОГЛАВЛЕНИЕ
3. 3. 4 Соединения типа AIV BVI . . . . . . . . . . . . . . . 51
3. 3. 5 Карбид кремния . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3. 4 Очистка и получение монокристаллов . . . . . . . . . . 52
3. 5 Легирование полупроводников . . . . . . . . . . . . . . . 54
3. 6 Методы получения тонких пленок . . . . . . . . . . . . 57
4 Диэлектрические материалы 62
4. 1 Основные понятия о диэлектриках . . . . . . . . . . . . 62
4. 1. 1 Поляризация диэлектриков . . . . . . . . . . . . . 62
4. 1. 2 Токи смещения, электропроводность . . . . . . . 66
4. 1. 3 Диэлектрические потери . . . . . . . . . . . . . . 67
4. 2 Пассивные полимеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4. 2. 1 Основные сведения о полимерах . . . . . . . . . 69
4. 2. 2 Линейные полимеры . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4. 2. 3 Порошковые пластмассы . . . . . . . . . . . . . . 72
4. 2. 4 Электроизоляционные компаунды . . . . . . . . 73
4. 2. 5 Неорганические стекла . . . . . . . . . . . . . . . 75
4. 2. 6 Ситаллы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4. 2. 7 Керамика . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4. 3 Активные диэлектрики . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4. 3. 1 Сегнетоэлектрики . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4. 3. 2 Пьезоэлектрики . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4. 3. 3 Пироэлектрики . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4. 3. 4 Электреты . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
4. 3. 5 Пористый кремний . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4. 3. 6 Жидкие кристаллы . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
4. 4 Тонкие диэлектрические пленки . . . . . . . . . . . . . . 93
A Справочные таблицы 96
Литература 106
4
Введение
Данное учебное пособие предназначено для студентов выс-
ших учебных заведений, обучающихся по направлению 210202 —
«Проектирование и технология электронных средств», а так-
же для магистров по направлениям 210200. 05 — «Информацион-
ные технологии проектирования электронных средств», 200100 и
200101 — «Приборостроение».