Читать онлайн «Шумовые свойства транзисторов на НЧ»

491 B. М. ПРИДОРОГИН ШУМОВЫЕ СВОЙСТВА TPAH3|/ICTOPOB НА низких чАстотАх - ЭНЁРГИЯ- sumortmv ' no рядно AKKIPOIIIKE  БИБЛИОТЕКА п о P A д и о- электронике Выпуск 52 В. М. ПРИДОРОГИН ШУМОВЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ НА НИЗКИХ ЧАСТОТАХ Scanned & DJVU ed Sc§EwnR:vER «Э Н Е Р Г И Я» МОСКВА 1976  6Ф0. З2 П75 УДК 621. 382. 3 : 621. 391. 822 П75 ПРИДОРОГИН ВАЛЕРИЙ MI/IXAIPIJIOBI/III шумовые свойства тгАнзистогов НА низких ЧАСТОТАХ Редактор А K H a ры шк и н Редактор издательства И Н. С у с л о в а Технический редактор М Н. О с и п о в а Корректор Э. А Филановскач Подписано к печати 26/I 1976 г. Т-01859 Усл печ. л. 8. 4 Цена 49 коп Сдано в набор 7/Х 1975 г. Формат 84><108Ч32 Бумага типографская N9 1 Уч изд. л. 9,19 Тираж 18 000 экз Зак. C01 Издательство «Энергия» Москва, М-114. Шлюзовая наб. . 10 Отпечатано в Московской типографии N9 10 Союзполиграфпрома при Государственном комитете Совета Министров СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли Москва, М—114‚ Шлюзовая наб , 10 Зак. 647. Придорогин В. М. Шумовые свойства 'гранзисторов на низких ча- стотах. М. ‚ «Энергия», 1976. 160 с. с ил. (База по радиоэлектронике. Вып 52) КНИГЕ! посвящена анализу различных шумовых характеристик би- полярных транзисторов В диапазоне ЗВУКОВЫХ частот, оценке конкрет- НЫХ ИСТОЧНИКОВ шума, наблюдаемых В современных транзисторах, прежде всего кремпиевык планарных, определению условий оптимиза- Ции СОбСТВЕПНЫХ IUYMOB транзисторов В различных СЛУЧЭЯХ, В ТОМ чисче и при изменении температуры и воздействии радиации Под- робно рассмотрены зависимости коэффициента шума от сопротивления источника сигнала, режима смещения транзистора, частоты Обсуж— даЮТСЯ особенности кремниевых планарных транзисторов и их харак- теристики В области малых смещений. Рассмотрен ряд ВОПрОСОВ. СВЯ- ззпных с оценкой качества биполярных транзисторов по их низкоча- стотным шумам Книга рассчитана на широкий круг инженерно-технических ра- ботников. занимающихся разработкой транзисторной аппаратуры, и специалистов В области разработки и ПрОИЗВОДСТВЗ транзисторов. 30404-233 6ф032 . . __. _,__,_ _-']" 051(0l)-76 т " © Издательство «Энергия», 1976 г.  ПРЕДИСЛОВИЕ Шумовые параметры во МНОГИХ случаях являются важнейшими характеристиками транзисторов, так как определяют предел чувствительности электронных устройств, предназначенных для регистрации слабых сигналов. Такие устройства необходимы, например, в различных системах автоматики, оптико-электронных приборах, всевозможных инструментах для физических исследований, приборах для акустических измерений, медицинской и биотехнике, бытовой радиоаппаратуре и т. д. Требования различных областей современной тех- ники все более расширяют этот список. Поэтому в на- стоящее время расчет шумов нельзя считать необходи- мым лишь в каких-то редких, исключительных случаях. И даже когда к схеме не предъявляется требований но уровню шума, учитывая, что шумы относятся к самым сложным и трудноуправляемым явлениям, можно счи- тать, что достижимое уменьшение уровня шумов, не яв- ляющегося неизбежно большим для данной схемы, де- монстрнрует инженерное мастерство разработчика элек- тронной аппаратуры, подобно тому как относительный уровень собственных шумов транзисторов характеризу- ет совершенство технологии их производства. Снижение влияния шумов транзисторов требует не только применения специальных малошумящих прибо- ров, но и знания характера шумовых процессов, так как уровень шумов транзисторов очень сильно зависит от рабочих условий —— сопротивления источника сигнала, частоты, напряжения и тока смещения, температуры.