В. В. БелиИович. Е. А Бенедиктов,
А В. Толмачева. Н. В. Бахметьева
ИССЛЕДОВАНИЕ
ИОНОСФЕРЫ
С ПОМОЩЬЮ
ИСКУССТВЕННЫХ
ПЕРИОДИЧЕСКИХ
НЕОДНОРОДНОСТЕИ
Условные обозначения
Латинский алфавит
С - скорость звука
Ct = \/к(Тс + Ti)/Mi - скорость ионного звука
с — скорость света
D = к(Те + Т{)/{тццт) - коэффициент амбиполяриои диффузии
Е - напряженность электрического поля
Ер = ^/ЗткТ<5(ш2 + и2)/е2 - плазменное поле
е - заряд электрона
F - частота следования радиоимпульсов
F - стрикционная сила
/ - частота радиоволны
/о = \/е2 N/ir тп - плазменная частота
G - коэффициент усиления антенны
5 - ускорение силы тяжести
Но - высота однородной атмосферы
h — высота
h0 - высота отражения мощной радиоволны
К' = 2к - волновое число стоячей волны
к = 27г/А — волновое число радиоволны в среде
ко = 2-тг/Ао - волновое число радиоволны в вакууме
L = у/кТе/тп51/2 - масштаб температуропроводности
Л/+, М~~ — концентрации положительных и отрицательных ионов
m - масса электрона
Tic - масса частиц сорта or
N - концентрация электронов
71 - коэффициент преломления
71°, 71х - коэффициенты преломления для обыкновенной и необыкновенной волн
Р - мощность передатчика
р - давление
Q - функция ионообразования
Л - коэффициент отражения радиоволны от ИПН
го - входное сопротивление приемника
5 - эффективная площадь приемной антенны
Т - температура молекул
Т - период колебаний
Те, Т; - температуры электронов и ионов
U - напряжение на входе приемника
и = шд/ш - безразмерный параметр
V — скорость вертикального движения плазмы
Vt - средняя скорость турбулентных движений
v - скорость электронной компоненты плазмы
v = Шд /ш2 - безразмерный параметр
VTa ~ средняя тепловая скорость частиц сорта а
W - плотность вероятности распределения скоростей в объеме рассеяния
х = (w±wL)/vrn
Y~, Z~ - концентрации долгоживущих отрицательных ионов
Греческий алфавит
а - коэффициент рекомбинации электронов с ионами
а - угол падения радиоволны на ИПН
аэф - эффективный коэффициент рекомбинации электронов
а, - коэффициент взаимной рекомбинации положительных и отрицательных ионов
Р - скорость образования отрицательных ионов
Г — интегральное поглощение радиоволны в ионосфере
"7 — скорость отлипания электронов от отрицательных ионов
1 = cp/cv - показатель адиабаты
Л - приращение какой-либо величины
S - средняя доля энергии, теряемая частицей при соударении
£ - диэлектрическая проницаемость среды
в — угол между направлением магнитного поля и волновым вектором радиоволны
к - постоянная Больцмана
ке = kNT/(mv) - теплопроводность электронного газа
Л = А/2 - длина стоячей радиоволны и период ИПН
Л - длина радиоволны в среде
Ло - длина радиоволны в вакууме
Л = [M~]/N — отношение концентраций отрицательных ионов и электронов
v — эффективная частота соударений электронов
i/em, uej — частота соударений электронов с молекулами и электронов с ионами
соответственно
i/;m - частота соударений ионов с молекулами
vam - частота соударений частиц сорта а с молекулами
р - плотность атмосферы
сте = е2N и 1\т(ш2 + i^2)] - электронная проводимость
т - время релаксации ИПН
Td, Tti Tr - время релаксации ИПН, обусловленное диффузией, турбулентностью и
рекомбинацией соответственно
Ф — ф° — фх - разность фаз сигналов обыкновенной и необыкновенной компонент
ф - фаза волны
X - зенитный угол Солнца
П - круговая частота ионного звука
Пд -- частота Брента-Вяйсяля
ш = 27г/ - круговая частота
ШН \ шНа ~ гирочастота электронов и частиц сорта а
шь = шн cos 0 ~ продольная компонента гирочастоты электронов
шо = \/4 7г в2 N/m - плазменная частота
Сокращения
АЦП - аналого-цифровой преобразователь
БПФ - быстрое преобразование Фурье
ВГВ - внутренние гравитационные волны
ВЗ - вертикальное зондирование
ИПН — искусственные периодические неоднородности плазмы
КПД - коэффициент полезного действия
МЧО - метод частичных отражений
ЭВМ - электронная вычислительная машина
Обозначения, встречающиеся однократно, не приводятся. Введение
Впервые мысль об образовании периодических
неоднородностеи в нижней ионосфере под действием мощной стоячей
радиоволны была высказана И. М. Виленским [49]. Он предполагал, что
эти неоднородности являются неоднородностями температуры
электронов. Затем в более поздней работе И. М. Виленского и В. В. Плот-
кина [51] была рассмотрена возможность образования неоднородностеи
электронной концентрации вследствие зависимости эффективного
коэффициента рекомбинации от температуры электронов. Т.
Н. Селига в
работе [108] указал на возможность создания искусственных
периодических неоднородностеи плазмы при отражении мощной радиоволны от
F-области ионосферы, однако не рассмотрел конкретных механизмов
их образования. Эти теоретические работы положили начало новому
направлению исследований физики ионосферной плазмы, связанному
с образованием в ней искусственных периодических неоднородностеи
(ИПН). Новый импульс к исследованиям ИПН был дан экспериментами по
модификации ионосферы мощным высокочастотным радиоизлучением. В Нижегородском научно-исследовательском радиофизическом
институте (НИРФИ) это направление исследований было инициировано
Г. Г. Гетманцевым. Под его руководством с целью изучения
воздействия мощного радиоизлучения на ионосферную плазму в 1975 г. был
создан нагревный стенд "Ястреб", а через несколько лет стенд
"Сура", вошедший в список уникальных установок России. В 1975 г. было обнаружено, что при воздействии на ионосферу
радиоизлучением обыкновенных радиоволн с частотой 4,6 МГц
наблюдается дискретное рассеяние пробных радиоволн необыкновенной
поляризации в узком интервале высот F-области ионосферы. Авторы
интерпретировали это явление как рассеяние от ИПН [18]. В
последующих экспериментах было показано, что ИПН формируются в поле
стоячей волны, возникающей вследствие интерференции падающей на
ионосферу и отраженной от нее волн, в высотном интервале от ~ 60 км
до точки отражения мощной радиоволны от ионосферы. Благодаря теоретическим и экспериментальным исследованиям,
проведенным в НИРФИ [30, 25, 26, 27], удалось понять основные
физические процессы, приводящие к образованию ИПН. Оказалось, что
в разных слоях ионосферы образование ИПН определяется совершенно
различными процессами. Так, в области F причиной образования
периодических неоднородностеи является стрикционная сила, в области Е
они создаются под действием избыточного давления электронной
компоненты плазмы, нагретой в пучностях стоячей радиоволны. В
области D процесс образования ИПН обусловлен изменением скоростей аэ-
рономических реакций, в частности ростом коэффициента прилипания
электронов к молекулам кислорода.