1955 г. Август Т. LVI, вып. 4
УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК
ТАММОВСКИЕ СВЯЗАННЫЕ СОСТОЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ
НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА
И ПОВЕРХНОСТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ АТОМОВ РЕШЁТКИ
И. М. Лифшиц η С. И. Пекар
В первой части статьи даётся обзор последовательных этапов
развития теории таммовских поверхностных состояний электронов. Во второй части рассматриваются явления, в которых поверхност-
ные состояния электронов играют существенную роль, и приводятся
экспериментальные доказательства действительного существования
этих состоякиЯ в реальных кристаллах. В третьей части статьи
излагается теория поверхностных колебаний кристаллической ре-
шётки, которая математически близка и генетически связана с тео-
рией поверхностных состояний электронов *).
1. ОБЩАЯ ТЕОРИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ ЭЛЕКТРОНОВ
В 1932 г. И. Е. Тамм на основе квантовой механики впервые
показал, что наряду с известными в то время «зонными» состояния-
ми электронов в кристалле у поверхности кристалла могут суще-
ствовать также состояния электронов совершенно иного типа 1 > 2 . Эти
«поверхностные» состояния электронов обладают дискретным энер-
гетическим спектром и волновыми функциями, экспоненциально зату-
хающими по мере удаления от поверхности как в глубину кристалла,. так и в сторону вакуума.
Для количественного рассмотрения вопроса необходимо решить
волновое уравнение для электрона, движущегося в статическом
потенциальном поле следующего типа: внутри кристалла (область
* ^ > 0 ) потенциал предполагается периодическим, а вне кристалла
(область х<^0) потенциал постоянный. Плоскость х = 0 представ-
ляет собой поверхность кристалла. Поскольку периодический по-
тенциал электрона в кристалле известен не точно, а также посколь-
ку решить волновое уравнение с периодическим потенциалом в об-
щем случае весьма трудно, пришлось, как и в теории «зонных>
*) Первые две части статьи написаны С. И. Пекаром, третья часть —
И. М. Лифшицем.
532 и. м. ЛИФШИЦ и с. и. ПЕКАР
состояний электрона, сначала рассмотреть ряд упрощенных частных
случаев (одномерный случай, простейшие виды периодического по-
тенциала), а затем, обобщив полученные результаты, сделать вы-
воды, справедливые для всех частных примеров и, повидимому, не
зависящие от специального выбора периодического потенциала. В одномерном случае волновое уравнение имеет вид:
0 + |τ[Ε-Ι/(*)]ψ = Ο, (1)
где U (х) — функция, обладающая периодом решётки при х~^>0
и U = ί/0 — константа при χ <^ 0. Как известно из общей теории
дифференциальных уравнений с периодическими коэффициентами,
внутри кристалла решение уравнения (1) имеет вид:
ψ = Ахик (х) eikx -\- A,ju^k {x) e~ikx, (2)
где uk и М_А — функции, обладающие периодом решётки, Аг- и
А% — произвольные постоянные, а коэффициент k является опреде-
лённой функцией энергии электрона: к = k (Ε). В неограниченной решётке, простирающейся в направлении χ от
— оо д о - ) - 0 0 ' Д л я т о г о чтобы ψ была конечна, необходимо и до-
статочно, чтобы коэффициент k был вещественный.