Московский государственный технический университет
имени Н. Э. Гудков, С. А. Мешков,
М. А. Синельщикова, Е. А. Скороходов
Рецензенты: зам. начальника отдела ОАО «Концерн Вега»
канд. техн. наук А. В. Королев;
канд. техн. наук, доцент В. В. Маркелов
Технологическая оптимизация микроэлектронных
Т38 устройств СВЧ : учеб. пособие / А. Г. Гудков, С. А. Мешков,
М. А. Синельщикова, Е. А. Скороходов.
— М. : Изд-во
МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2014. — 44, [4] с. : ил. ISBN 978-5-7038-3928-7
Содержит основы теории технологической оптимизации мик-
роэлектронных устройств СВЧ, систематизированные процедуры
статистического моделирования, проведения оптимизации, схемы
процессов технологической оптимизации, примеры их выполне-
ния с указанием последовательности использования расчетных за-
висимостей, а также методические рекомендации и необходимую
справочную информацию. Для студентов, изучающих конструкторско-технологические
проблемы микроэлектронных средств. УДК 681. 2
ББК 34. 9
© МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2014
© Оформление. Издательство
ISBN 978-5-7038-3928-7 МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2014
ВВЕДЕНИЕ
Необходимость подготовки настоящего учебного пособия обу-
словлена актуальностью проблемы технологического обеспечения
ускоренного развития радиоэлектронных средств (РЭС), охватыва-
ющих все сферы деятельности государства — от обороны и ключе-
вых отраслей промышленности до производства бытовой техники. Объемы выпуска и продаж РЭС на мировом рынке характеризуются
устойчивым темпом роста до 16 % в год. Проникновение радиоэлек-
троники во все сферы жизни общества расширяет спектр задач, ре-
шаемых современными РЭС. Как следствие, ужесточаются требова-
ния к эксплуатационным показателям, их точности и надежности. Общей тенденцией развития РЭС является увеличение рабо-
чей частоты с переходом в диапазоны СВЧ и КВЧ. Устройства
СВЧ отличаются чувствительностью электрических свойств к
отклонениям параметров конструкции и входных воздействий, вы-
званным технологическим разбросом и изменением условий экс-
плуатации.