Московский государственный технический университет
имени Н. Э. Баумана
И. Е. Малов, И. Н. Шиганов
ЛАЗЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
В ЭЛЕКТРОННОМ МАШИНОСТРОЕНИИ
Рекомендовано редсоветом МГТУ им. Н. Э. Баумана
в качестве учебного пособия
Москва
Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана
2008
УДК 621. 375. 826(075. 8)
ББК 32. 86
М197
Рецензенты: В. К. Драгунов, Ю. В. Панфилов
Малов И. Е. , Шиганов И. Н. М197 Лазерные технологии в электронном машиностроении:
Учеб. пособие. — М.
: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2008. —
24 с. : ил. Дано общее представление о процессах лазерной обработки по-
лупроводников с целью рекристаллизации и отжига, описаны лазер-
ные технологии модифицирования и изменения химического состава
поверхностных слоев, напыления и осаждения тонких пленок, про-
цессы лазерного легирования поверхности полупроводников. Также в
пособии рассмотрены физико-химические и технологические процес-
сы лазерной обработки пленок и деталей микроэлектроники, дана
классификация методов лазерной обработки, рассмотрены методы
подгонки параметров элементов микроэлектроники, размерной обра-
ботки и маркировки тонких пленок. Для студентов 6-го курса, изучающих дисциплину «Лазерная
микротехнология». УДК 621. 375. 826(075. 8)
ББК 32. 86
© МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2008
ВВЕДЕНИЕ
Лазерными микротехнологиями принято называть лазерные
технологии обработки материалов, в которых физико-химические
процессы, вызванные в материале воздействием лазерного излуче-
ния, локализованы в области, не превосходящей несколько десят-
ков микрон. В настоящее время данные технологии находят достаточно
широкое применение в промышленности. Наиболее востребован-
ными среди лазерных микротехнологий являются:
1) лазерная обработка полупроводников;
2) модифицирование и изменение химического состава по-
верхностных слоев;
3) микропроцессы обработки с испарением обрабатываемого
материала [1]. В данном пособии отражены современные представления о по-
строении технологических процессов в электронной промышлен-
ности.
1. ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ
ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ
Многие замечательные достижения последних лет в области
полупроводниковой электроники, в частности, улучшение харак-
теристик приборов, уменьшение их размеров, увеличение выхода
годных изделий, связаны с применением технологии ионной им-
плантации. Метод ионной имплантации состоит в легировании
полупроводника необходимым элементом, которое осуществляет-
ся облучением поверхности полупроводника потоком данного эле-
мента при ускоряющем напряжении в несколько киловольт. Эта
3
технология уникальна: позволяет внедрять ионы, которые нельзя
внедрить обычными методами.