ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ
РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ
(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
А. И. Морозов
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Электроны в кристалле. Металлы. Полупроводники. Диэлектрики. Магнетики. Сверхпроводники
Учебное пособие
Москва 2008
2
Данное учебное пособие является продолжением учебного
пособия: А. И. Морозов «Физика твердого тела. Кристаллическая
решетка. Фононы», далее цитируемого как I. В настоящем посо-
бии рассмотрены свойства свободного электронного газа и пове-
дение электронов в периодическом потенциале кристаллической
решетки, а также физические свойства металлов, полупроводни-
ков, диэлектриков, магнитоупорядоченных веществ и сверхпро-
водников. Изучены процессы экранирования. На основе кинети-
ческого уравнения Больцмана исследованы кинетические явле-
ния в металлах и полупроводниках. Читатель познакомится в
рамках модели Хаббарда с теорией фазового перехода металл-
диэлектрик, а также с явлением андерсоновской локализации. Пособие предназначено для студентов специальности 200100
дневной формы обучения.
3
Введение
Данное учебное пособие является продолжением учебного
пособия «ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. Кристаллическая струк-
тура.
Фононы» (далее I). В нем изложена теория электронного
ферми-газа и зонная теория твердых тел на основе приближения
почти свободных электронов и приближения сильной связи. В
пособии рассмотрены свойства металлов, полупроводников, ди-
электриков, магнитоупорядоченных веществ и сверхпроводни-
ков. Читатель познакомится в рамках модели Хаббарда с теорией
фазового перехода металл-диэлектрик, а также с явлением андер-
соновской локализации. Глава 1. Электронный газ
1. 1. Модель желе
Приступим к изучению свойств электронов в кристалличе-
ской решетке. Напомним, что при изучении динамики решетки
мы исходили из адиабатического приближения, то есть считали,
что распределение электронной плотности соответствует мини-
муму энергии кристалла при заданных положениях ядер состав-
ляющих его атомов или ионов. В данной главе будем пренебрегать кулоновским взаимо-
действием электронов друг с другом. Для начала рассмотрим мо-
дель желе. Согласно этой модели, положительный заряд ионных
остовов, каждый из которых представляет собой ядро атома в ок-
ружении электронов внутренних заполненных оболочек, предпо-
лагается размазанным по объему кристалла с постоянной плот-
ностью. Такой положительный фон обеспечивает электроней-
тральность кристалла, не нарушая его однородности даже на
микроуровне. Для электронов внешних незаполненных оболочек
кристалл представляет в модели желе трехмерную потенциаль-
ную яму. Состояния электрона в этой яме характеризуются волновым
вектором k и описываются волнами де-Бройля:
4
εt
ψ = c exp(ik r − i ) , (1. 1)
где ε - энергия электрона, r и t - координата и время, - посто-
янная Планка.