Читать онлайн «Физико-химические основы технологии электронных средств: Учебное пособие»
Автор И. В. Смирнов
Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Ульяновский государственный технический университет
В. И. Смирнов
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ
ТЕХНОЛОГИИ
ЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ
Учебное пособие
для студентов, обучающихся по специальности 21020165 –
Проектирование и технология радиоэлектронных средств
Ульяновск 2005
1
УДК 621. 38 (075)
ББК 32. 965 я 7
С 50
Рецензенты:
Ульяновское отделение Института радиотехники и электроники РАН;
профессор кафедры «Аэронавигация и радиоэлектронное оборудование» Улья-
новского высшего авиационного училища гражданской авиации, канд. техн. на-
ук, А. В. Ефимов
Утверждено редакционно-издательским советом университета
в качестве учебного пособия
Смирнов, В. И. С 50 Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное
пособие / В. И. Смирнов. − Ульяновск: УлГТУ, 2005. − 112 с. ISBN 5-89146-600-0
Рассмотрены основные технологические операции производства электрон-
ных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих
в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии по-
лупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое
полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изго-
товления гибридных интегральных микросхем. Пособие предназначено для студентов специальности 21020165, изучающих
вопросы технологии электронных средств. УДК 621. 38 (075)
ББК 32. 965 я 7
В. И. Смирнов, 2005
ISBN 5-89146-600-0 Оформление. УлГТУ, 2005
2
ОГЛАВЛЕНИЕ
ПРЕДИСЛОВИЕ………………………... …………………………………. . 5
1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ТЕХНОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ……. . ………………………………………. ………. .
…… 6
1. 1. Классификация интегральных микросхем по технологии
их изготовления………... ……………………. . …………………. 6
1. 2. Особенности формирования структуры полупроводниковой
ИМС на примере эпитаксиально-планарного транзистора…... . 8
1. 3. Общая характеристика технологического процесса
изготовления полупроводниковых ИМ…... …………………… 9
2. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ
ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ…. . … 12
2. 1. Получение поликристаллического кремния………………... … 12
2. 2. Выращивание монокристаллических слитков кремния
методом Чохральского…... ……………………………... ……… 13
2. 3. Получение монокристаллического кремния методом
бестигельной зонной плавки………………………. …………… 15
3. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ……... 16
3. 1.
