Читать онлайн «Физика микроэлектронных структур: лабораторный практикум»

МИНИСТЕРСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ И НАУКЕ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕР- СИТЕТ «МИФИ» ФИЗИКА МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ 3-е издание переработанное и дополненное Москва 2010 УДК 621. 382(076. 5) БВК 32. 844. 1я7 Ф 50 Физика микроэлектронных структур. Лабораторный практикум/ В. В. Беляков, В. С. Першенков, В. Н. Улимов, И. Н. Швецов-Шиловский. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. – 64 с. Комплекс лабораторных работ, описанный в практикуме, знакомит студентов с физическими процессами, происходящими в современных полевых и биполярных микроэлектронных структурах. При выполнении работ студенты также получают навыки проведения автоматизированного физического эксперимента. В настоящем 3-ем издании заново написана работа 3, посвященная ис- следованию поверхностных рекомбинационных эффектов. Весь остальной материал практикума подвергся существенной переработке. Практикум предназначен для студентов факультета «Автоматика и электроника» и Высшего физического колледжа по специальности «Элек- троника и автоматика физических установок». Рецензент д-р техн. наук, проф. П. К. Скоробогатов. Рекомендовано к изданию редсоветом НИЯУ МИФИ. ISBN 978-5-7262-1307-1 © Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2010 Редактор Е. Н. Кочубей Подписано в печать 22. 08. 2010. Формат Формат 60×84 1/16. Печ. л. 4,0. Уч. -изд. л. 4,0. Тираж 200 экз. Изд. № 104-1. Заказ № 258. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». Типография НИЯУ МИФИ. 115409, Москва, Каширское ш. , д. 31  Содержание Предисловие ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 4 Работа 1. ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛАБОРАТОРНАЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 5 Работа 2. ОБЪЕМНЫЕ РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПОТЕРИ В БИПОЛЯРНЫХ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУРАХ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 16 Работа 3. ПОВЕРХНОСТНЫЕ РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПОТЕРИ В БИПОЛЯРНЫХ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУРАХ ... ... ... ... . . 27 Работа 4. ЭФФЕКТЫ ПРОДОЛЬНОГО ПАДЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ В БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ И ОТТЕСНЕНИЯ ТОКА КОЛЛЕКТОРА ... ... ... ... ... . 39 Работа 5. ОСОБЕННОСТИ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУРАХ С ИЗОПЛАНАРНОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ... ... ... ... ... ... ... ... 46 Работа 6. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОГО ЗАРЯДА В ОКИСЛЕ И НА ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЯХ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ... ... ... ... ... ... 54 Работа 7. УПРАВЛЕНИЕ МОП-ТРАНЗИСТОРОМ ПО ПОДЛОЖКЕ В ПОДПОРОГОВОЙ ОБЛАСТИ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 59 3  ПРЕДИСЛОВИЕ Переход к субмикронным размерам элементов сверх больших инте- гральных микросхем требует понимания новых физических эффектов в микроэлектронных структурах.