М. , Корольков В. Г. , Куль, ивскнй А. А. , Смирнов А. Д. Тарасов Ф. И. , Брошюра содержит справочные данные по транзисторам отечественного произв! iBa. Даны краткие пояснения к приводимым в таблицах параметрам и важ нейшие сведения по правилам эксплуатации транзисторов. Предназначена для радиолюбитетей-конструкторов. 3 4-5 392-66 VmhV;v Л1 КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ По областям применения ити назначению транзисторы раз 1я- ются на следующие основные |руппы: маломощные низкочастотные, маломощные высокочастотные, быстродействующие переключающие, мощные низкочастотные, мощные переключающие и мощные высокочастотные. Такая классификация транзисторов в значительной мере условна, и зачастую один и тот же транзистор может применяться, например, в предварительных и оконечных каскадах усилителя низкой частоты, в переключающих схемах и высокочастотных усилите лях или генераторах Поэтому в последнее время намечается тен-ен- ция классифицировать транзисторы с точки зреш я возможностей их применения только по двум важнейшим признакам: по мощности и по частотному пределу По исходному полупроводниковому материалу выпускаемые в настоящее время транзисторы делятся на германиевые и кремниевые. Транзисторы, изютовленные на основе кремния, допускают работу при температурах до 120—150° С, в то время как у германиевых транзисторов наивысшая рабочая температура не превышает 70—83° С. Существуют транзисторы двух структур: р-п-р и п-р-п. отличающихся противоположными полярностями питающих напряжений. Это обстоятельство позволяет упростить построение ряда схем, например построить двухтактный усилитель без фазоинверторг Транзистор" i, обладающие одинаковыми параметрами, ио имеющие противопоюжную структуру, часто называют транзисторами »- дополнитеты эй симметрией. По принципу изготовления различают целый ряд конструкти"" технологических разновидностей транзисторов. Наибольшее распространение получили сп 1авные и диффузионные транзисторы. Сплавные транзисторы (рис. 1,а) изготавливаются nyieM вплавления двух капель примесного вещества с противоположных сторон птастинки исходного полупроводника Таким методом удается получать в основном низкочастотные транзисторы малой и большой мощности. Диффузионные транзисторы (рис 1, б) Высокочастотные транзисторы, в том числе мощные высокочастотное, изготовляются путем использования явления диффузии (проникновения) одних веществ в другие. В настоящее время существует ряд практических вариантов диффузионной технологии, позволяющих хорошо контролировать введение примесей в пластинку исходного потупроводника и тем самым строго выдерживать необходимую для высокочастотных транзисторов геометрию рп переходов.