B. O
f
' БУТИН
A
CT
i
i >
МАССОВАЯ
РАДИО
БИБЛИОТЕКА
ГОСЭНЕРГОИЗАЛТ
МАССОВАЯ РАДИОБИБЛИОТЕКА
СПРАВОЧНАЯ СЕРИЯ
Выпуск 449
В. К. ЛАБУТИН
ТРАНЗИСТОРЫ
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ ИЗДАТЕЛЬСТВО
МОСКВА 1962 ЛЕНИНГРАД
Редакционная коллегия:
Берг А. И. , Бурдейный Ф. И. , Бурлянд В. А. , Ванеев В. Й»,
Геништа Е. Н. , Джигит И. С, Канаева А. М. , Кренкель Э. Т. ,
Куликовский А. А. , Смирнов А. Д. , Тарасов Ф. И. , Шамшур В. И. Брошюра содержит справочные данные по
транзисторам отечественного производства. Даны
краткие пояснения к приводимым, в таблицах
параметрам и важнейшие сведения по правилам
эксплуатации транзисторов. В заключение
приводятся краткие справочные данные для
некоторых типов зарубежных транзисторов. Предназначена для
радиолюбителей-конструкторов.
6Ф2. 13 Лабутан Вадим Константинович
Л12 Транзисторы. М. —Л. , Госэнергоиздат, 1962.
32 стр. с илл. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 449)
6Ф2.
13
Редактор Ф. И. Тарасов Техн. редактор Н, И. Борунов
Обложка художника А. М. Кувшинникова
Сдано в набор 31/1 1962 г. Подписано к печати 23/VII 1962 г. Т-07756 Бумага 84ХЮ8'/« 1. 64 печ. п. Уч. -изд. л. 2
Тираж 100 000 экз. • Цена 8 коп. Зак. '2069
' Типография Госэнергоиздата. Москва, Шлюзовая иаб. , 10. Отпечатано в типографии «Московский рабочий». Москва, Петровка, 17. Зак. 947. Классификация транзисторов
По областям применения или назначению транзисторы
разделяются на следующие основные группы: маломощные
низкочастотные, маломощные высокочастотные, быстродействующие
переключающие, мощные низкочастотные, мощные переключающие и
мощные высокочастотные. Такая классификация транзисторов
в значительной мере условна и зачастую один и тот же транзистор
может применяться, например, в предварительных и оконечных
каскадах усилителя низкой частоты, в переключающих схемах и
высокочастотных усилителях или генераторах. По исходному полупроводниковому материалу выпускаемые
в настоящее время транзисторы делятся на германиевые и
кремниевые. Транзисторы, изготовленные на основе кремния, допускают
работу при температурах до 120—150° С, в то время как у
германиевых транзисторов наивысшая рабочая температура не
превышает 70—85° С. Существуют транзисторы двух структур р-п-р и п-р-п,
отличающихся противоположными полярностями питающих
напряжений. Это обстоятельство позволяет упростить построение ряда схем,
например, построить двухтактный усилитель без фазоинвертора. Транзисторы, обладающие одинаковыми параметрами, но имеющие
противоположную структуру, часто называют транзисторами с
дополнительной симметрией. По принципу изготовления различают целый ряд
конструктивно-технологических разновидностей транзисторов. Упомянем
наиболее известные из них. Точечные транзисторы (рис. \,а) состояли из пластинки
монокристаллического германия с прижатыми к ней двумя
металлическими иглами. Ввиду низкой стабильности и плохой
воспроизводимости электрических характеристик выпуск точечных транзисторов
прекращен. В отличие от выпускаемых теперь плоскостных
точечные транзисторы обладают коэффициентом усиления по току в
схеме с общей базой (см.