ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
УНИВЕРСИТЕТ НЕФТИ И ГАЗА ИМЕНИ
И. М. ГУБКИНА
Кафедра разведочной геофизики и компьютерных
систем
Т. А. Сидельникова
ЭЛЕКТРОРАЗВЕДКА
Учебное пособие по практическим работам
для студентов специальности 080400 «Геофизические
методы поисков и разведки месторождений полезных
ископаемых (в части геофизических методов поисков и
разведки месторождений нефти и газа)»
Москва - 2006
2
УДК 550. 83
Сидельникова Т. А. Учебное пособие по практическим работам. М: РГУ
нефти и газа, 2006. В данной работе приводится описание практических
работ, рекомендации по их выполнению. Работы
выполняются в двух семестрах, представлены способы
решения прямых задач, обработки и интерпретации с
использованием ЭВМ. Учебное пособие предназначено для студентов
специальности 080400 «Геофизические методы поисков и
разведки месторождений полезных ископаемых (в части
геофизических методов поисков и разведки месторождений
нефти и газа)». Рецензент – С. А. Серкеров, д-р техн. наук, проф.
РГУ
нефти и газа им. И. М. Губкина
©Российский государственный университет нефти и
газа им. И. М. Губкина, 2006
3
Практическая работа № 1
ГРАФИЧЕСКОЕ ПОСТРОЕНИЕ 4-СЛОЙНЫХ КРИВЫХ
ВЭЗ
Цель работы: ознакомление с графическим методом
построений многослойных кривых ВЭЗ,
построение 4-слойной кривой. В связи с ограниченностью числа палеточных кривых и
трудоемкостью расчетов дополнительных теоретических кривых в
ряде случаев используется графический способ построения кривых
ВЭЗ. Несмотря на то, что точность графических построений не
превышает 5-10%, быстрота и сравнительная легкость этого метода
способствует его широкому применению в практике интерпретации
полевых данных. Графическое построение используется также при
проектировании работ для оценки возможности выделения отдельных
горизонтов в изучаемом электрическом разрезе. Построение 4-слойных кривых ВЭЗ
Принцип графического построения основывается на том, что
левая часть многослойной кривой стремится к двухслойной кривой с
параметрами μ2=ρ2 ⁄ ρ1, а правая – к двухслойной с μN=ρN ⁄ρэ, где ρэ -
некоторое эквивалентное сопротивление перекрывающей толщи, ρN -
сопротивление нижнего полупространства. Правила графического построения 4-слойных кривых ВЭЗ
сводятся к следующему:
а) на прозрачном билогарифмическом бланке ВЭЗ находится
точка с координатами ρ1 h1,
б) крест двухслойной палетки совмещается с этой точкой и на
бланк перечерчивается двухслойная кривая с модулем μ2=ρ2 ⁄ ρ1,
таким образом, пренебрегая влиянием третьего слоя, строится
начальная ветвь 4-слойной кривой,
в) затем первые два слоя заменяются одним эквивалентным. Параметры этого эквивалентного слоя ρэ и hэ для каждого типа 3-
слойной кривой Н, А, К, Q являются соответственно координатами
точек Н, А, К, Q и находятся по следующим формулам:
1.