Читать онлайн «Задания для индивидуальной работы: Методические указания для индивидуальной работы по курсу ''Схемотехника электронных средств''»

Министерство науки и образования РФ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С. П. КОРОЛЕВА Кафедра "Радиотехнические устройства" Задания для индивидуальной работы Методические указания для индивидуальной работы по курсу «Схемотехника электронных средств» Самара 2004  2 Составитель: И. А. Кудрявцев УДК 531. 7. 681. 2 Задания для индивидуальной работы: Методические указания для инди- видуальной работы / Самарский гос. аэрокосмический ун-т. Сост. И. А. Кудряв- цев. Самара 2004 12стр. Методические указания рекомендуются для студентов, обучающихся по специальности 200800 по курсу " Схемотехника электронных средств". Приведены варианты заданий для индивидуальной работы студентов, изучающих дисциплину " Схемотехника электронных средств".  3 СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………………. 4 1 ЦИФРОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ... 4 2 СИНТЕЗ КОМБИНАЦИОННЫХ ЛОГИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 5 3 ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА НА ТРИГГЕРАХ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 7 4 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 8  4 ВВЕДЕНИЕ Индивидуальная работа студентов предполагает решение набора задач, посвященных разделам цифровой и аналоговой схемотехники, рассматривае- мым в лекционном курсе. Задачи сгруппированы по разделам, в начале каждого раздела приводится образец примерного решения типовой задачи. Решенные задачи необходимо оформить на отдельных листах и сдать преподавателю в течение учебного семестра. Номер варианта определяется порядковым номером фамилии студента в списке учебной группы. 1 Цифровые электронные ключи на биполярных транзисторах При расчете электронных ключей на биполярных транзисторах необходимо рассматривать два основных аспекта: статический режим ключа и его быстро- действие. При этом основными показателями ключа являются: остаточное вы- ходное напряжение на открытом ключе, мощность рассеяния на активном эле- менте (в статическом и динамическом режимах), длительности переходных процессов (отпирания и запирания ключа). При расчете статического режима необходимо обеспечить надежное за- пирание транзистора в выключенном состоянии и насыщение в открытом со- стоянии. Глубина насыщения определяет быстродействие ключа (и мощность цепи управления) и не должна быть чрезмерно большой. Пример: Рассчитать ключ на биполярном транзисторе, предназначенный для вклю- чения и выключения светодиода по следующему алгоритму: при наличии на входе ключа напряжения величиной ( U ВХ 1 = 4. 5…5В) светодиод светится, при наличии напряжения ( U ВХ 0 = 0…0. 5В) - погашен. Изобразить схему ключа и рассчитать параметры принципи- альной схемы, если известно, что светодиод светится с достаточной яркостью при то- ке 10 мА, при этом падение напряжения на нем равно 1В.