МОСКОВСКИЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
На правах рукописи
Семенов Александр Владимирович
Проскальзывание фазы, поглощение электромагнитного
излучения и формирование отклика в детекторах на основе
узких полосок сверхпроводников
Специальность 01. 04. 03 — радиофизика
Диссертация на соискание учёной степени
кандидата физико-математических наук
Научный руководитель —
доктор физико-математических наук
Девятов И. А. МОСКВА 2010
Оглавление
Введение 4
Глава 1. Обзор литературы 15
1. 1 Детектор на кинетической индуктивности . . . . . . . . . . 16
1. 2 Явление проскальзывния фазы . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1. 3 Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе тон-
кой плёнки NbN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Глава 2. Теоретический анализ работы сверхпроводящего де-
тектора микроволнового излучения на кинетической ин-
дуктивности 31
2. 1 Модель детектора и формализмация задачи . . . . . . . . . 32
2. 2 Отклик кинетической индуктивности . . . . . . . . . . . . . 36
2. 3 Результаты численных расчётов . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2. 4 Выводы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Глава 3.
Проскальзывание фазы в диффузной сверхпроводя-
щей нанопроволоке 50
3. 1 Формализация задачи . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3. 2 Аналитическое решение в пределе больших магнитных полей 54
3. 3 Результаты расчётов порога свободной энергии . . . . . . . 56
3. 4 Выводы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Глава 4. Оптимизация сверхпроводникового однофотонного
детектора 62
2
4. 1 Наблюдение динамики резистивного состояния по откликам
детекторов с малой кинетической индуктивностью . . . . . 62
4. 2 Применение сверхпроводниковых однофотонных детекторов,
разрешающих число фотонов, в телекоммуникационных ли-
ниях связи . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4. 3 Выводы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Заключение 73
Список публикаций автора 75
Литература 79
Приложение 87
3
Введение
Прогресс, достигнутый в последнее десятилетие в технологии изготов-
ления сверхпроводящих наноструктур, ознаменовал начало нового этапа в
развитии сверхпроводниковой электроники, связанного с использованием
структур с характерными размерами в плане порядка 100 нм.